ຜະລິດຕະພັນ
ຊິບເຄື່ອງຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນ NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ
  • ຊິບເຄື່ອງຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນ NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງຊິບເຄື່ອງຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນ NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ

ຊິບເຄື່ອງຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນ NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ

ຊິບ Thermistor NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງຖືກອອກແບບມາສໍາລັບການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມໃນໂມດູນເອເລັກໂຕຣນິກແລະ optical ທີ່ຫນາແຫນ້ນທີ່ພື້ນທີ່ການຕິດຕັ້ງຈໍາກັດ. X-Meritan ໃຫ້ໂຄງສ້າງຊິບທີ່ມີຂະຫນາດຈາກ 0.3 ມມ, ຄ່າຄວາມຕ້ານທານຈາກ 1kΩ ຫາ 1000kΩ, ແລະຄ່າ B ຈາກ 3200K ຫາ 4500K. ທາງ​ເລືອກ​ຄວາມ​ທົນ​ທານ​ຕໍ່​ຂອງ ±0.5​% ແລະ ±1​% ແມ່ນ​ມີ​ຢູ່​ສໍາ​ລັບ​ການ​ຄັດ​ເລືອກ​.

Thermistor NTC ໃຊ້ລັກສະນະຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມລົບ, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າຄວາມຕ້ານທານຂອງພວກມັນມີການປ່ຽນແປງເມື່ອອຸນຫະພູມປ່ຽນແປງ. ໃນວົງຈອນການຮັບຮູ້, ການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານສາມາດຖືກປ່ຽນເປັນຂໍ້ມູນອຸນຫະພູມສໍາລັບການຕິດຕາມແລະຄວບຄຸມ.

ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ຊິບ, ການເລືອກຄ່າ R25, B, ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມທົນທານ, ຂະຫນາດຂອງຊິບ, ແລະໂຄງສ້າງຂອງ electrode ມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ການຈັບຄູ່ວົງຈອນແລະການປະກອບ. R25 ຫມາຍເຖິງຄວາມຕ້ານທານນາມຢູ່ທີ່ 25 ° C, ໃນຂະນະທີ່ຄ່າ B ອະທິບາຍລັກສະນະຄວາມຕ້ານທານ - ອຸນຫະພູມຂອງ thermistor.

NTC Thermistor Chip ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງແມ່ນມີຈຸດປະສົງສໍາລັບແອັບພລິເຄຊັນທີ່ອົງປະກອບການຮັບຮູ້ຈໍາເປັນຕ້ອງຖືກວາງຢູ່ໃກ້ກັບອົງປະກອບທີ່ອ່ອນໄຫວຕໍ່ອຸນຫະພູມໃນຂະນະທີ່ຮັກສາພື້ນທີ່ຂະຫນາດນ້ອຍ.

High-Precision NTC Thermistor Chip

ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ

ຮູບແບບຕໍ່ໄປນີ້ເປັນຕົວແທນຂອງສະເພາະຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຢູ່. ຄວນເລືອກຄ່າ ແລະຂະໜາດໄຟຟ້າຕາມຄຸນລັກສະນະຂອງວົງຈອນທີ່ຕ້ອງການ ແລະວິທີການປະກອບ.

ຕົວແບບ

R25 (kΩ)

B ຄ່າ (K)

ຂະໜາດ L×W×T (ມມ)

ລະດັບພະລັງງານທີ່ 25°C (mW)

ຄ່າສຳປະສິດການກະຈາຍ (mW/°C)

ເວລາຄວາມຮ້ອນຄົງທີ່ (s)

DT502-3950A

5.0

3950

1.0×1.0×0.5

<60

~1.2

≤3

DT103-3435B

10.0

3435

0.95×0.95×0.6

<60

~1.2

≤3

DT103-3470A

10.0

3470

1.0×1.0×0.5

<60

~1.2

≤3

DT103-3950A

10.0

3950

1.1×1.1×0.46

<60

~1.2

≤3

DT203-3743A

20.0

3743

1.1×1.1×0.6

<60

~1.2

≤3

DT303-3950A

30.0

3950

1.0×1.0×0.55

<60

~1.2

≤3

DT473-4050A

47.0

4050

0.45×0.45×0.25

<10

~0.2

≤2

DT503-3950A

50.0

3950

1.0×1.0×0.55

<60

~1.2

≤3

DT104-3950A

100.0

3950

0.95×0.95×0.6

<60

~1.2

≤3

DT104-3964F

100.0

3964

0.45×0.45×0.2

<10

~0.2

≤2

DT104-4100A

100.0

4100

0.95×0.95×0.6

<60

~1.2

≤3

ໄລຍະທີ່ມີຢູ່ເພີ່ມເຕີມ

ພາລາມິເຕີ

ຊ່ວງທີ່ມີໃຫ້

ການຕໍ່ຕ້ານ

1kΩ–1000kΩ

B ຄ່າ

3200K–4500K

ຂະໜາດຊິບ

ຈາກ 0.3 ມມ, ຂຶ້ນກັບໂຄງສ້າງ

ຄວາມທົນທານຕໍ່ການຕໍ່ຕ້ານ

±0.5%, ±1%

ຂະໜາດນ້ອຍ

ຊິບ Thermistor NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງແມ່ນມີຢູ່ໃນໂຄງສ້າງທີ່ຫນາແຫນ້ນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ເຊັນເຊີອຸນຫະພູມແບບຫຸ້ມຫໍ່ແບບທໍາມະດາຈະໃຊ້ພື້ນທີ່ຫຼາຍເກີນໄປ. ຮູບແບບທີ່ເລືອກໃນໄລຍະປະຈຸບັນແມ່ນຂະຫນາດນ້ອຍເທົ່າກັບ 0.45 × 0.45 ມມ, ໃນຂະນະທີ່ຂະຫນາດຊິບທີ່ກໍາຫນົດເອງສາມາດປະເມີນໄດ້ຈາກຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າຫຼືຕົວຢ່າງ.

ໂຄງສ້າງຊິບຂະຫນາດນ້ອຍແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການວາງອົງປະກອບການຮັບຮູ້ຢູ່ໃກ້ກັບ optical, ເອເລັກໂຕຣນິກ, ຫຼືອົງປະກອບທີ່ລະອຽດອ່ອນອຸນຫະພູມອື່ນໆ. ຂະຫນາດສຸດທ້າຍຄວນໄດ້ຮັບການຢືນຢັນຕາມຄຸນລັກສະນະໄຟຟ້າທີ່ຕ້ອງການແລະຂະບວນການປະກອບ.

ການຜູກມັດສາຍ

ຊິບສາມາດໄດ້ຮັບການສະຫນອງດ້ວຍ electrodes ຄໍາຫຼືເງິນ plated ສໍາລັບການຜູກມັດສາຍ. ການເຊື່ອມໂລຫະສາຍທອງ, ອະລູມິນຽມ, ແລະເງິນສາມາດໄດ້ຮັບການສະຫນັບສະຫນູນໂດຍອີງຕາມການຕັ້ງຄ່າ electrode ແລະຂະບວນການປະກອບ.

ໂຄງສ້າງນີ້ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບໂມດູນປະສົມທີ່ຫນາແຫນ້ນແລະເຄື່ອງປະກອບອື່ນໆທີ່ thermostor ຕ້ອງໄດ້ຮັບການປະສົມປະສານໂດຍກົງເຂົ້າໄປໃນພື້ນທີ່ຮັບຮູ້. ວັດສະດຸ electrode ແລະຂໍ້ກໍາຫນົດການຜູກມັດສາມາດໄດ້ຮັບການຢືນຢັນໃນລະຫວ່າງການປະເມີນຜົນຕົວຢ່າງ.

Thermistor NTC ທີ່ໃຊ້ສາຍໄດ້ແມ່ນຍັງຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ optical transceiver ຫນາແຫນ້ນ, ບ່ອນທີ່ອົງປະກອບການຮັບຮູ້ແມ່ນຕັ້ງຢູ່ໃກ້ກັບອົງປະກອບ optical ທີ່ອ່ອນໄຫວຕໍ່ກັບອຸນຫະພູມ.

ຄວາມຕ້ານທານແລະຄ່າ B

ຄ່າ Resistance ແລະ B ຄວນຖືກເລືອກເປັນການປະສົມປະສານທີ່ກົງກັນແທນທີ່ຈະຖືກປະຕິບັດເປັນຕົວກໍານົດການເອກະລາດຢ່າງສົມບູນ. ລະດັບຄວາມຕ້ານທານທີ່ມີຢູ່ແມ່ນ 1kΩ ຫາ 1000kΩ, ໃນຂະນະທີ່ລະດັບຄ່າ B ແມ່ນ 3200K ຫາ 4500K.

ສໍາລັບການອອກແບບວົງຈອນ, ການຕໍ່ຕ້ານ nominal ຢູ່ທີ່ 25 ° C, ຄ່າ B, ຄວາມທົນທານ, ແລະຂອບເຂດການຮັບຮູ້ທີ່ຈໍາເປັນຄວນໄດ້ຮັບການພິຈາລະນາຮ່ວມກັນ. ການປະສົມປະສານມາດຕະຖານແມ່ນມີຢູ່, ແລະຄວາມຕ້ອງການທີ່ບໍ່ແມ່ນມາດຕະຖານສາມາດຖືກປະເມີນໂດຍອີງໃສ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.

ຄ່າ B ແມ່ນຖືກລະບຸໄວ້ຕາມປົກກະຕິພ້ອມກັບຊ່ວງອຸນຫະພູມອ້າງອີງຂອງມັນ, ເຊັ່ນ B25/50 ຫຼື B25/85, ດັ່ງນັ້ນຄໍານິຍາມທີ່ແນ່ນອນຄວນໄດ້ຮັບການຢືນຢັນກ່ຽວກັບຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ໃຊ້ໄດ້ກ່ອນການປັບວົງຈອນ. ຂໍ້ມູນຜະລິດຕະພັນຊິບ NTC ການຄ້າຈາກຜູ້ຜະລິດລາຍໃຫຍ່ໄດ້ລະບຸຄ່າ R25 ແລະ B ທີ່ມີອຸນຫະພູມອ້າງອີງທີ່ກຳນົດໄວ້.

ຄວາມທົນທານຕໍ່ການຕໍ່ຕ້ານ

ແບບທີ່ເລືອກສາມາດສະຫນອງດ້ວຍທາງເລືອກຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມທົນທານຂອງ ±0.5% ແລະ ±1%. ຂໍ້ມູນສະເພາະນີ້ອະທິບາຍເຖິງການບ່ຽງເບນທີ່ອະນຸຍາດຂອງຄ່າຄວາມຕ້ານທານທີ່ລະບຸໄວ້ ແລະບໍ່ຄວນຖືກນຳສະເໜີເປັນຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການວັດແທກອຸນຫະພູມໂດຍລວມ.

ສໍາລັບວົງຈອນທີ່ລະອຽດອ່ອນຂອງອຸນຫະພູມ, ຄວາມທົນທານຕໍ່, ຄວາມທົນທານຕໍ່ມູນຄ່າ B, ການອອກແບບວົງຈອນ, ວິທີການປັບທຽບ, ແລະສະພາບການເຮັດວຽກທັງຫມົດສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຜົນໄດ້ຮັບການວັດແທກອຸນຫະພູມສຸດທ້າຍ. ດັ່ງນັ້ນຄວາມທົນທານທີ່ຕ້ອງການຄວນໄດ້ຮັບການຄັດເລືອກຕາມລະບົບການຮັບຮູ້ທີ່ສົມບູນ.

ການຕອບສະຫນອງຄວາມຮ້ອນ

ໄລຍະເວລາຄວາມຮ້ອນຄົງທີ່ຂອງຕົວແບບທີ່ລະບຸໄວ້ແມ່ນ ≤2 s ຫຼື ≤3 s, ຂຶ້ນກັບໂຄງສ້າງຂອງຊິບແລະຕົວແບບ. ການຄົງທີ່ຂອງເວລາຄວາມຮ້ອນທີ່ນ້ອຍກວ່າໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວຊີ້ໃຫ້ເຫັນວ່າເຄື່ອງຄວບຄຸມອຸນຫະພູມບັນລຸຄວາມສົມດຸນຂອງຄວາມຮ້ອນກັບສະພາບອ້ອມຂ້າງຂອງມັນໄວຂຶ້ນ.

ການຕອບສະຫນອງຕົວຈິງໃນໂມດູນປະກອບຍັງຂຶ້ນກັບວິທີການ mounting, coupling ຄວາມຮ້ອນ, ວັດສະດຸອ້ອມຂ້າງ, ແລະການໄຫຼຂອງອາກາດ. ດ້ວຍເຫດຜົນນີ້, ຂໍ້ມູນສະເພາະຂອງຊິບຄວນໄດ້ຮັບການປະເມີນພ້ອມກັບໂຄງສ້າງການຕິດຕັ້ງຕົວຈິງ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

Optical Communication

NTC Thermistor Chip ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງສາມາດຖືກລວມເຂົ້າກັບໂມດູນການສື່ສານທາງ optical ແລະ optical transceivers ສໍາລັບການຕິດຕາມອຸນຫະພູມ. ໂຄງສ້າງທີ່ຫນາແຫນ້ນຂອງມັນຊ່ວຍໃຫ້ອົງປະກອບການຮັບຮູ້ຖືກຕັ້ງຢູ່ໃກ້ກັບອົງປະກອບ optical ທີ່ອ່ອນໄຫວຕໍ່ກັບອຸນຫະພູມໂດຍບໍ່ມີການເພີ່ມຊຸດເຊັນເຊີພາຍນອກແບບດັ້ງເດີມ.

ນີ້ມີຄວາມກ່ຽວຂ້ອງໂດຍສະເພາະໃນອຸປະກອນປະກອບ optical ທີ່ພື້ນທີ່ການຕິດຕັ້ງທີ່ມີຢູ່ແມ່ນຈໍາກັດແລະການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມຕ້ອງໄດ້ຮັບການຕິດຕາມຢ່າງໃກ້ຊິດກັບອົງປະກອບທີ່ຖືກຄວບຄຸມ. Thermistor NTC ທີ່ໃຊ້ສາຍໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍສະເພາະສໍາລັບການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມໃນການອອກແບບຕົວຮັບສັນຍານ optical.

ອຸປະກອນການແພດ

ຊິບ NTC ຫນາແຫນ້ນສາມາດຖືກລວມເຂົ້າກັບເຄື່ອງມືທາງການແພດແລະອຸປະກອນຫ້ອງທົດລອງທີ່ອົງປະກອບການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມຕ້ອງການໃຫ້ເຫມາະສົມກັບພື້ນທີ່ຕິດຕັ້ງທີ່ຖືກຈໍາກັດ. ຄ່າຄວາມຕ້ານທານທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ຄ່າ B, ແລະທາງເລືອກຄວາມທົນທານອະນຸຍາດໃຫ້ອົງປະກອບຖືກຈັບຄູ່ກັບວົງຈອນການຮັບຮູ້ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະສຸດທ້າຍຄວນໄດ້ຮັບການຄັດເລືອກຕາມລະດັບອຸນຫະພູມທີ່ກໍານົດໄວ້, ລັກສະນະຂອງວົງຈອນ, ວິທີການຕິດຕັ້ງ, ແລະຄວາມຕ້ອງການອຸປະກອນການນໍາໃຊ້.

ເຣດາລົດຍົນ

ໂມດູນ radar ຍານຍົນມີອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ຫນາແຫນ້ນທີ່ອາດຈະຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການກວດສອບອຸນຫະພູມໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດງານ. ປັດໄຈຮູບແບບຂະຫນາດນ້ອຍຂອງຊິບ NTC ຊ່ວຍໃຫ້ການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມຖືກປະສົມປະສານເຂົ້າໃນການປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ.

ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນລົດຍົນ, ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານທີ່ຕ້ອງການ, ຄຸນລັກສະນະການຕໍ່ຕ້ານ, ຄວາມທົນທານ, ໂຄງສ້າງກົນຈັກ, ແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຄວນໄດ້ຮັບການຢືນຢັນກ່ອນທີ່ຈະເລືອກຮູບແບບສຸດທ້າຍ.

ອຸປະກອນຫ້ອງທົດລອງ

ຊິບຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນຫ້ອງທົດລອງແລະອຸປະກອນການທົດສອບບ່ອນທີ່ອົງປະກອບການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມຫນາແຫນ້ນແມ່ນຕ້ອງການ. ຄວາມຕ້ານທານແລະຄ່າ B ສາມາດເລືອກໄດ້ຕາມວົງຈອນການຮັບຮູ້, ໃນຂະນະທີ່ຂະຫນາດຂອງຊິບສາມາດພິຈາລະນາຮ່ວມກັນກັບພື້ນທີ່ການຕິດຕັ້ງທີ່ມີຢູ່.

ສໍາລັບເຄື່ອງຕົ້ນແບບຫຼືອຸປະກອນທີ່ກໍາຫນົດເອງ, X-Meritan ສາມາດປະເມີນຄວາມຕ້ອງການໂດຍອີງໃສ່ຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າຫຼືຕົວຢ່າງກ່ອນການຜະລິດ.

ການປັບແຕ່ງ

ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ

ຊິບ Thermistor NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງສາມາດຖືກປະເມີນສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການໄຟຟ້າທີ່ກໍາຫນົດເອງ. ຄ່າຄວາມຕ້ານທານທີ່ມີໃຫ້ກວມເອົາ 1kΩ ຫາ 1000kΩ, ດ້ວຍຄ່າ B ຈາກ 3200K ຫາ 4500K. ທາງ​ເລືອກ​ຄວາມ​ທົນ​ທານ​ຕໍ່​ຂອງ ±0.5​% ແລະ ±1​% ແມ່ນ​ມີ​ສໍາ​ລັບ​ການ​ສະ​ເພາະ​ທີ່​ເລືອກ​.

ໃນເວລາທີ່ຮ້ອງຂໍໃຫ້ມີຮູບແບບທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ລູກຄ້າສາມາດສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການ R25, ມູນຄ່າ B, ຄວາມທົນທານ, ເງື່ອນໄຂການດໍາເນີນງານແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເປົ້າຫມາຍ. ພາລາມິເຕີເຫຼົ່ານີ້ຊ່ວຍກໍານົດວ່າຮູບແບບທີ່ມີຢູ່ແລ້ວສາມາດນໍາໃຊ້ໄດ້ຫຼືການກໍານົດສະເພາະໃຫມ່ຄວນໄດ້ຮັບການປະເມີນ.

ຂະໜາດຊິບ

ຂະຫນາດຂອງຊິບສາມາດໄດ້ຮັບການປະເມີນໂດຍອີງຕາມພື້ນທີ່ການຕິດຕັ້ງທີ່ມີຢູ່ແລະຂະບວນການປະກອບ. ຮູບແບບທີ່ມີຢູ່ປະກອບມີໂຄງສ້າງທີ່ຫນາແຫນ້ນເຊັ່ນ: 0.45 × 0.45 × 0.20 ມມແລະ 0.45 × 0.45 × 0.25 ມມ.

ສໍາລັບຂະຫນາດທີ່ບໍ່ແມ່ນມາດຕະຖານ, X-Meritan ສາມາດທົບທວນຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າຫຼືຕົວຢ່າງແລະຢືນຢັນໂຄງສ້າງທີ່ສາມາດບັນລຸໄດ້ພ້ອມກັບຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າທີ່ຕ້ອງການ.

ຕົວເລືອກໄຟຟ້າ

ທາງ​ເລືອກ electrode ຄໍາ​ຫຼື​ເງິນ plated ມີ​ສໍາ​ລັບ​ຄວາມ​ຕ້ອງ​ການ​ຂອງ​ການ​ເຊື່ອມ​ຕໍ່​ທີ່​ແຕກ​ຕ່າງ​ກັນ​. ອຸປະກອນການ electrode ຄວນໄດ້ຮັບການຄັດເລືອກຮ່ວມກັນກັບອຸປະກອນການສາຍແລະຂະບວນການຜູກມັດ.

ໃນລະຫວ່າງການພັດທະນາຕົວຢ່າງ, ໂຄງສ້າງ electrode, ວິທີການຜູກມັດ, ຂະຫນາດຂອງຊິບ, ແລະຄຸນລັກສະນະທາງໄຟຟ້າສາມາດກວດສອບໄດ້ກ່ອນທີ່ຈະຜະລິດມະຫາຊົນ.

ການຜະລິດແລະການສະຫນັບສະຫນູນຕົວຢ່າງ

X-Meritan ຜະລິດວັດສະດຸແລະອົງປະກອບທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບ semiconductor ແລະສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນການຜະລິດສໍາລັບອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ກໍາຫນົດເອງ. ອຸປະກອນການຜະລິດທີ່ມີຢູ່ປະກອບມີເຄື່ອງ jig vibration, ເຄື່ອງເຊື່ອມ, ເຄື່ອງຫຸ້ມຫໍ່ອັດຕະໂນມັດ, ແລະອຸປະກອນການຕັດຄວາມແມ່ນຍໍາ.

ສໍາລັບ chip thermistor NTC ທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ການຜະລິດສາມາດຖືກປະເມີນຈາກຕົວຢ່າງຂອງລູກຄ້າຫຼືຮູບແຕ້ມ. ກ່ອນທີ່ຈະຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່, ຂັ້ນຕອນການຢືນຢັນຕົວຢ່າງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອກວດສອບຂະຫນາດ, ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ, ຄວາມຕ້ອງການ electrode, ແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງປະກອບ.

ຂະບວນການນີ້ເຮັດໃຫ້ລູກຄ້າມີຈຸດທີ່ກໍານົດໃນການກວດສອບຜະລິດຕະພັນຕໍ່ກັບຄວາມຕ້ອງການຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງພວກເຂົາກ່ອນທີ່ຈະອອກຄໍາສັ່ງການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່.

FAQ

ຄວາມຕ້ານທານແລະຄ່າ B ມີຫຍັງແດ່?

ລະດັບຄວາມຕ້ານທານທີ່ມີຢູ່ແມ່ນ 1kΩ ຫາ 1000kΩ, ທີ່ມີຄ່າ B ຈາກ 3200K ຫາ 4500K. ຮູບແບບມາດຕະຖານປະກອບມີ 5kΩ, 10kΩ, 20kΩ, 30kΩ, 47kΩ, 50kΩ, ແລະ 100kΩ ຄ່າຄວາມຕ້ານທານ.

ຄວາມທົນທານຕໍ່ການຕໍ່ຕ້ານແມ່ນຫຍັງ?

ຂໍ້ມູນສະເພາະທີ່ເລືອກແມ່ນມີຢູ່ກັບ ±0.5% ແລະ ±1% ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມທົນທານ. ຄວາມທົນທານທີ່ຕ້ອງການຄວນໄດ້ຮັບການຄັດເລືອກຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງວົງຈອນແລະການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມ.

ຊິບສາມາດຕິດສາຍໄດ້ບໍ?

ແມ່ນແລ້ວ. ທາງເລືອກ electrode ທອງຄໍາຫຼືເງິນແມ່ນສາມາດໃຊ້ໄດ້. ການເຊື່ອມໂລຫະສາຍທອງ, ອະລູມິນຽມ, ແລະເງິນສາມາດໄດ້ຮັບການປະເມີນອີງຕາມການກໍາຫນົດຄ່າ electrode ແລະຂະບວນການປະກອບ.

ຂະໜາດຊິບທີ່ມີຂະໜາດນ້ອຍທີ່ສຸດແມ່ນຫຍັງ?

ຊ່ວງຜະລິດຕະພັນປະກອບມີຮູບແບບທີ່ຫນາແຫນ້ນເຊັ່ນ: 0.45 × 0.45 × 0.20 ມມແລະ 0.45 × 0.45 × 0.25 ມມ. ຂະຫນາດທີ່ກໍາຫນົດເອງສາມາດຖືກປະເມີນຈາກຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າຫຼືຕົວຢ່າງ, ໂດຍມີຂະຫນາດສຸດທ້າຍຂຶ້ນຢູ່ກັບຂໍ້ກໍານົດໄຟຟ້າແລະໂຄງສ້າງທີ່ຕ້ອງການ.

ແມ່ນແລ້ວ. X-Meritan ສາມາດປະເມີນຄວາມຕ້ານທານທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ຄ່າ B, ຂະຫນາດ, ຄວາມທົນທານ, ແລະຄວາມຕ້ອງການ electrode. ຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າຫຼືຕົວຢ່າງສາມາດນໍາໃຊ້ເປັນພື້ນຖານສໍາລັບການປະເມີນຜົນຜະລິດຕະພັນແລະການຢືນຢັນຕົວຢ່າງ.

ຂ້ອຍຄວນເລືອກຊິບເຄື່ອງຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນ NTC ແນວໃດ?

ເລີ່ມຕົ້ນດ້ວຍຄວາມຕ້ານທານທີ່ຕ້ອງການຢູ່ທີ່ 25 ° C, ຄ່າ B, ລະດັບການຮັບຮູ້ອຸນຫະພູມ, ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຕ້ານທານ, ພື້ນທີ່ການຕິດຕັ້ງທີ່ມີຢູ່, ແລະວິທີການຜູກມັດ. ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ການສະຫນອງຂໍ້ກໍານົດຂອງວົງຈອນ, ການແຕ້ມຮູບການຕິດຕັ້ງ, ຫຼືຕົວຢ່າງທີ່ມີຢູ່ແລ້ວສາມາດຊ່ວຍກໍານົດຂໍ້ກໍານົດທີ່ເຫມາະສົມ.

ກ່ຽວກັບ X-Meritan

X-Meritan ແມ່ນຜູ້ຜະລິດຢູ່ໃນປະເທດຈີນທີ່ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນວັດສະດຸ, ສ່ວນປະກອບ, ແລະຜະລິດຕະພັນການຈັດການຄວາມຮ້ອນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບ semiconductor. ຄວາມສາມາດຂອງມັນກວມເອົາການພັດທະນາວັດສະດຸ, ການຜະລິດອົງປະກອບ, ການຜະລິດທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ແລະສະຫນັບສະຫນູນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.

ບໍລິສັດໃຫ້ບໍລິການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລວມທັງການສື່ສານ optical, sensing, ອຸປະກອນທາງການແພດ, ເອເລັກໂຕຣນິກລົດຍົນ, ແລະເອເລັກໂຕຣນິກບໍລິໂພກ. ຜະລິດຕະພັນໄດ້ຖືກສະຫນອງໃຫ້ແກ່ເອີຣົບ, ອາເມລິກາເຫນືອ, ອາເມລິກາໃຕ້, ອາຊີຕາເວັນອອກສຽງໃຕ້, ແລະຕະຫຼາດສາກົນອື່ນໆ.

ສໍາລັບ Chip Thermistor NTC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, X-Meritan ສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນຈາກການຄັດເລືອກສະເພາະແລະການປະເມີນຕົວຢ່າງເພື່ອການຜະລິດທີ່ກໍາຫນົດເອງ. ລູກຄ້າສາມາດສະຫນອງການແຕ້ມຮູບ, ຕົວຢ່າງ, ຫຼືຄວາມຕ້ອງການໄຟຟ້າສໍາລັບການປະເມີນຜົນດ້ານວິຊາການກ່ອນການຜະລິດ

ສົ່ງສອບຖາມ
ຂໍ້​ມູນ​ຕິດ​ຕໍ່
  • ທີ່ຢູ່

    ຕຶກ C2, ສູນ R&F, ຖະໜົນ Shangpu, ເມືອງ Taijiang, ເມືອງ Fuzhou, ແຂວງ Fujian, ຈີນ

  • ອີເມວ

    hardy.wu@x-meritan.com

ພ້ອມທີ່ຈະເລີ່ມຕົ້ນໂຄງການການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນຕໍ່ໄປຂອງທ່ານຫຼືຮ້ອງຂໍໃຫ້ມີລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ? ໄດ້X-meritanທີມງານວິສະວະກໍາແລະການຂາຍກໍາລັງຢືນຢູ່ໂດຍການວິເຄາະຄວາມຕ້ອງການໂຄງການຂອງທ່ານ, ແນະນໍາຮູບແບບ TEC ມາດຕະຖານທີ່ເຫມາະສົມ, ຫຼືປຶກສາຫາລືທາງເລືອກການຜະລິດເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermoelectric ແບບກໍາຫນົດເອງຢ່າງເຕັມສ່ວນ.

ພຽງ​ແຕ່​ຕື່ມ​ຂໍ້​ມູນ​ໃສ່​ໃນ​ແບບ​ສອບ​ຖາມ​ທີ່​ມີ​ຕົວ​ກໍາ​ນົດ​ການ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ຂອງ​ທ່ານ​ເຊັ່ນ​: ການ​ໂຫຼດ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​, ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ລ້ອມ​ຮອບ​, ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ດ້ານ​ເຢັນ​ເປົ້າ​ຫມາຍ​, ຂະ​ຫນາດ​, ແລະ​ປະ​ລິ​ມານ​ປະ​ລິ​ມານ​ປະ​ລິ​ມານ​ປະ​ຈໍາ​ປີ​.ວິສະວະກອນການຂາຍດ້ານວິຊາການຂອງພວກເຮົາຈະທົບທວນຂໍ້ຈໍາກັດດ້ານຄວາມຮ້ອນຂອງທ່ານແລະຕອບສະຫນອງດ້ວຍການສະເຫນີລາຄາລະອຽດແລະການປະເມີນດ້ານວິສະວະກໍາພາຍໃນ 24 ຊົ່ວໂມງເຮັດວຽກ.

X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ. ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດຍອມຮັບ